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硅基芯片

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ZGSOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1326

SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列具有多通道，高集成度芯片化，大模擬帶寬等特性，主要應用于光纖傳感，光纖通信，激光雷達等領域
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ZG高速SOI光電探測器芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1810

高速SOI光電探測器芯片，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
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ZGSOI納秒光開關芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1475

SOI納秒光開關芯片該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換，實現了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
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ZGSOI芯片可調光濾波器陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1388

SOI芯片可調光濾波器陣列基于硅基熱調諧微環(huán)結構，光濾波器的中心波長和隔離度可調，實現了多通道光濾波器的單片集成，通過特殊設計實現了偏振無關特性，光電封裝，數字化驅動。
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梓冠單片集成 10bit 可調光延時器芯片高速切換

更新時間：2025-05-10

型號：梓冠

瀏覽量：1154

單片集成 10bit 可調光延時器芯片高速切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產
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ZGSOI高速光開關芯片陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1132

SSOI高速光開關芯片陣列，該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換，實現了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
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ZG高速SOI芯片光電探測器陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1299

高速SOI芯片光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
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SOI芯片式高速光衰減器

更新時間：2025-05-10

型號：

瀏覽量：1251

SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應實現高速響應的可調光路衰減，實現多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅動電路一體化光電封裝，數字化驅動，偏振相關性小，衰減范圍大，調節(jié)精度高，衰減值穩(wěn)定，響應時間為納秒級，可在高速、低時延系統(tǒng)中應用。
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